中歐第三代半導體高峰論壇”在深舉行

中歐第三代半導體高峰論壇”在深舉行

深圳企業(yè)在論壇上展示半導體領域科研成果。

我國的半導體技術的發(fā)展愈加愈速度，昨日由深圳市科學技術協(xié)會指導，南方科技大學、深圳市坪山區(qū)人民政府、深圳青銅劍科技股份有限公司共同主辦的“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳館舉行。來自英國、瑞典、中國的兩百多位專家學者和產(chǎn)業(yè)界人士參加論壇，圍繞碳化硅、氮化鎵等第三代半導體技術的最新發(fā)展前景展開熱議。

以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料技術，作為新一代信息技術、新能源、新材料三大產(chǎn)業(yè)的結合，受到深圳市的高度重視。前深圳市在第三代半導體領域具有較好的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基礎，不少高校與企業(yè)在從事這方面的工作。他指出要借助此次論壇的召開，搭建更高效的國際交流平臺，促進我國第三代半導體行業(yè)快速發(fā)展。

與會的專家學者分別從各自的研發(fā)領域針對碳化硅和氮化鎵器件的設計、工藝、應用進行了深入介紹，并探討了第三代半導體產(chǎn)業(yè)的市場機遇和未來發(fā)展趨勢。

目前全球碳化硅功率器件的發(fā)展與應用情況采用自主研發(fā)的新型工藝技術實現(xiàn)的全外延結構溝槽JBS二極管，各項指標已經(jīng)達到了國際先進水平。

近年來，以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發(fā)全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強等優(yōu)點，可廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導體照明、新一代移動通信、消費類電子等領域，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術，全球市場容量未來將達到百億美元，已成為美國、歐洲、日本半導體行業(yè)的重點研究方向之一。

目前我國在第三代半導體材料研究上一直緊跟世界前沿，是世界上為數(shù)不多的碳化硅材料襯底、材料外延產(chǎn)業(yè)化的國家。在第三代半導體器件設計和制造工藝方面也在向世界先進水平邁進。麗晶微電子的PCBA解決方案、IC解決方案、單片機開發(fā)、芯片開發(fā)，一直在不斷的新的研發(fā)中。

目前中國的第三代半導體行業(yè)已經(jīng)迎來發(fā)展的春天?；景雽w公司通過整合海內外創(chuàng)新技術、人才與國內產(chǎn)業(yè)資源，已全面掌握碳化硅器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等各方面技術，成為國內發(fā)展最快的碳化硅功率器件企業(yè)之一。

本文來自深圳商報，略有刪減。

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